Samsung uruchamia produkcję układów SoC w procesie technologicznym 10nm FinFET drugiej generacji

Samsung uruchamia produkcję układów SoC w procesie technologicznym 10nm FinFET drugiej generacji. Nowa linia produkcyjna S3 jest gotowa do zwiększenia skali produkcji i zaspokojenia popytu na układy 10nm. Firma Samsung Electronics Co., Ltd., światowy lider technologii zaawansowanych półprzewodników, ogłosiła dziś rozpoczęcie przez pion Foundry masowej produkcji układów SoC (System-on-Chip). Tworzone będą one w 10-nanometrowym procesie technologicznym FinFET drugiej generacji pod nazwą 10LPP (Low Power Plus). Proces technologiczny 10LPP umożliwia wzrost wydajności o 10% lub też niższe o 15% zużycie energii względem procesu technologicznego 10 nm pierwszej generacji, tj. 10LPE (Low Power Early). Nowy proces bazuje na sprawdzonej technologii 10LPE, co pozwoliło firmie osiągnąć znacznie krótszy czas wdrożenia do masowej produkcji oraz dużo wyższą wydajność produkcji. Układy SoC produkowane w procesie technologicznym 10LPP użyte zostaną w urządzeniach cyfrowych, których premiera planowana jest na początek przyszłego roku i będą szerzej dostępne w kolejnych miesiącach. Dzięki przejściu z technologii 10LPE na 10LPP będziemy w stanie dostarczyć naszym klientom jeszcze lepsze osiągi i wyższą wyjściową wydajność – powiedział Ryan Lee, wiceprezes ds. marketingu pionu Foundry firmy Samsung Electronics. W ramach długofalowej strategii firmy Samsung dotyczącej procesu technologicznego 10nm będziemy w dalszym ciągu pracować nad ewolucją tej technologii aż do poziomu 8LPP, co da klientom znaczące korzyści w szerokiej gamie zastosowań. Firma Samsung ogłosiła także, że jej najnowsza linia produkcyjna S3 w Hwaseong w Korei Południowej jest gotowa znacząco zwiększyć produkcję układów, także w technologii 10nm i mniejszej. Produkująca półprzewodniki fabryka S3 to trzecia linia pionu Foundry firmy Samsung, po S1 w Giheung w Korei Południowej i S2 w Austin (USA). W fabryce S3 masowo produkowane będą również układy w procesie technologicznym 7nm FinFET z wykorzystaniem litografii EUV (Extreme Ultra Violet)

źródło: Samsung

FacebookTwitterGoogleLinkedInReddit